2004-01-09 拓墣產業研究院

Flash Memory即將成為記憶體產業的新世代霸主

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記憶體產業面臨世代交替，Samsung於2003年10月宣布半導體事業主力由Flash Memory取代DRAM，將成為Samsung下個十年的淘金礦來源之一，Samsung並樂觀的估計2006年全球Flash Memory產值將可和DRAM平分秋色。

自2003第二季末起，NAND Flash受數位相機、MP3隨身聽、USB隨身碟產品等大量出貨激勵，率先湧入大筆需求，下游小廠商甚至一度無法取得NAND Flash，面臨斷貨之窘境。第三季末NOR Flash再受消費性電子產品熱賣影響，帶動整體Flash Memory產業再創高峰，拓墣產業研究所估計2003年市場可達113億美元，較2002年成長近45%，展望2004年拜由手機、數位相機市場的持續成長及相機手機需求風起雲湧之推動，Flash市場可望達154億美元，較前一年成長36%，與DRAM全球市場規模的差距正快速縮小中。

同時由Saifun所領導之NROM技術，也將在2004年FASL、Infineon以及旺宏的發揮下，和傳統Floating Gate Flash Memory展開激烈的技術領導地位之爭。

2004年產業趨勢展望：

◘高容量應用市場，NAND Flash與NOR Flash競爭將更加白熱化，然而NOR Flash先天架構設計使其成本較NAND Flash高，被侵蝕部分市場在所難免。

◘快閃記憶體新興技術NROM有三個觀察重點：Infineon是否能正式出貨以NROM為基礎的NAND Flash是其一，技術指標廠商Saifun是否能順利完成4 bit per cell之MLC（Multi Level Cell） NROM是其二，NROM製程微縮技術是否能順利進展至90奈米為其三。若三者皆能在2004年排程中順利完成，NROM可望在快閃記憶體主流技術中站穩陣腳。

◘2004下半年NAND Flash各大新進廠商產能陸續開出之後，可望平衡供需，價格將下滑至合理部位，同時也因為更多同業競爭，將出現一波激烈的價格戰。